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2SK3612-01L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK3612-01L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK3612-01L

 

2SK3612-01L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:243K  fuji
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2SK3612-01L

2SK3612-01L,S,SJ 200304 FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings (mm) Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications P4 Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unl

 7.1. Size:282K  inchange semiconductor
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2SK3612-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3612L FEATURES Drain Current I = 14A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 260m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 7.2. Size:356K  inchange semiconductor
 2sk3612s.pdf pdf_icon

2SK3612-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3612S FEATURES Drain Current I = 14A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 260m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

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