2SK2764-01R Todos los transistores

 

2SK2764-01R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2764-01R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 35 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO3PF

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2SK2764-01R datasheet

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2SK2764-01R

FUJI POWER MOSFET 2SK2764-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings FAP-2S Series 5.5 0.3 0.3 0.2 15.5 3.2 3.2+0.3 Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power 0.3 2.1 0.3 1.6 Avalanche-proof +0.2 1.1 0.1 0.2 3.5 0.2 +0.2 0.2 5.45 5.45 0.6 Applications Switching regulators 1. Gate 2. Drain UPS

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2SK2764-01R

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2SK2764-01R

N-channel MOS-FET 2SK2760-01 FAP-IIS Series 600V 1,2 9A 60W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristi

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2SK2764-01R

N-channel MOS-FET 2SK2767-01 FAP-IIS Series 900V 5,5 3,5A 80W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteris

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