2SK2764-01R Todos los transistores

 

2SK2764-01R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2764-01R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK2764-01R Datasheet (PDF)

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2SK2764-01R

FUJI POWER MOSFET2SK2764-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFAP-2S Series5.50.30.30.215.53.23.2+0.3FeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving power0.32.10.3 1.6Avalanche-proof+0.2 1.10.10.2 3.50.2 +0.20.25.45 5.45 0.6ApplicationsSwitching regulators1. Gate2. DrainUPS

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2SK2764-01R

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2SK2764-01R

N-channel MOS-FET2SK2760-01FAP-IIS Series 600V 1,2 9A 60W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristi

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2SK2764-01R

N-channel MOS-FET2SK2767-01FAP-IIS Series 900V 5,5 3,5A 80W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteris

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History: IPP200N15N3G | BFC23 | AO4914 | SVF3N80F | IRFR9220 | AS4435S | SIR496DP

 

 
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