2N7219 Todos los transistores

 

2N7219 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7219
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 105(max) nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254

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2N7219 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  omnirel
2n7218 2n7219 2n7221 2n7222.pdf

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2N7218, JANTX2N7218, JANTXV2N7218 2N7221, JANTX2N7221, JANTXV2N7221 2N7219, JANTX2N7219, JANTXV2N7219 2N7222, JANTX2N7222, JANTXV2N7222 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/596100V Thru 500V, Up to 28A, N-Channel, MOSFET Power Transistor, Repetitive Avalanche RatedFEATURESRepetitive Avalanche RatingIsolated and Hermetically SealedL

 0.1. Size:165K  international rectifier
2n7219u.pdf

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PD - 91548CIRFN240JANTX2N7219UJANTXV2N7219UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN240 0.18 18AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:21K  semelab
2n7218u.pdf

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IRFN140SEME2N7218ULABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 28A RDS(on) 0.077FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE RE

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