2N7219 Todos los transistores

 

2N7219 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7219
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105(max) nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254
 

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2N7219 datasheet

 ..1. Size:64K  omnirel
 2n7218 2n7219 2n7221 2n7222.pdf pdf_icon

2N7219

2N7218, JANTX2N7218, JANTXV2N7218 2N7221, JANTX2N7221, JANTXV2N7221 2N7219, JANTX2N7219, JANTXV2N7219 2N7222, JANTX2N7222, JANTXV2N7222 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/596 100V Thru 500V, Up to 28A, N-Channel, MOSFET Power Transistor, Repetitive Avalanche Rated FEATURES Repetitive Avalanche Rating Isolated and Hermetically Sealed L

 0.1. Size:165K  international rectifier
 2n7219u.pdf pdf_icon

2N7219

PD - 91548C IRFN240 JANTX2N7219U JANTXV2N7219U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN240 0.18 18A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:21K  semelab
 2n7218u.pdf pdf_icon

2N7219

IRFN140 SEME 2N7218U LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 28A RDS(on) 0.077 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE RE

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History: FDS86141

 

 
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