2N7219 Todos los transistores

 

2N7219 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7219

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 60 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO254

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7219

 

2N7219 Datasheet (PDF)

1.1. 2n7219u.pdf Size:165K _international_rectifier

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PD - 91548C IRFN240 JANTX2N7219U JANTXV2N7219U POWER MOSFET REF:MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNEL ® Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN240 0.18 Ω 18A HEXFET® MOSFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

1.2. 2n7218 2n7219 2n7221 2n7222.pdf Size:64K _omnirel

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2N7218, JANTX2N7218, JANTXV2N7218 2N7221, JANTX2N7221, JANTXV2N7221 2N7219, JANTX2N7219, JANTXV2N7219 2N7222, JANTX2N7222, JANTXV2N7222 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/596 100V Thru 500V, Up to 28A, N-Channel, MOSFET Power Transistor, Repetitive Avalanche Rated FEATURES •Repetitive Avalanche Rating •Isolated and Hermetically Sealed •L

 5.1. 2n7218u.pdf Size:21K _semelab

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IRFN140 SEME 2N7218U LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 28A Ω RDS(on) 0.077Ω FEATURES • HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE • SMALL FOOTPRINT – EFFICIENT USE OF PCB SPACE. • SIMPLE DRIVE RE

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