2SK1201 Todos los transistores

 

2SK1201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1201
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK1201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
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2SK1201

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1201DESCRIPTIONDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dra

 8.1. Size:44K  no
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History: VS3645GE | DMN2170U | SMS318 | AP75T10AGP | SI2309CDS | CS6N90FA9H | STM4886E

 

 
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