IRFBC40AS Todos los transistores

 

IRFBC40AS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFBC40AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFBC40AS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFBC40AS PDF Specs

 ..1. Size:609K  international rectifier
irfbc40aspbf.pdf pdf_icon

IRFBC40AS

PD - 95545 IRFBC40ASPbF Lead-Free 7/22/04 Document Number 91113 www.vishay.com 1 IRFBC40ASPbF Document Number 91113 www.vishay.com 2 IRFBC40ASPbF Document Number 91113 www.vishay.com 3 IRFBC40ASPbF Document Number 91113 www.vishay.com 4 IRFBC40ASPbF Document Number 91113 www.vishay.com 5 IRFBC40ASPbF Document Number 91113 www.vishay.com 6 IRFBC40ASPbF Docum... See More ⇒

 ..2. Size:361K  vishay
irfbc40as sihfbc40as.pdf pdf_icon

IRFBC40AS

IRFBC40AS, SiHFBC40AS Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 42 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 10 Ruggedness Qgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanche... See More ⇒

 ..3. Size:387K  vishay
irfbc40aspbf sihfbc40as.pdf pdf_icon

IRFBC40AS

IRFBC40AS, SiHFBC40AS Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 42 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 10 Ruggedness Qgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanche... See More ⇒

 ..4. Size:278K  inchange semiconductor
irfbc40as.pdf pdf_icon

IRFBC40AS

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFBC40AS FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.2 (MAX) Enhancement mode Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN... See More ⇒

Otros transistores... IRFBC30 , IRFBC30A , IRFBC30AS , IRFBC30L , IRFBC30S , IRFBC32 , IRFBC40 , IRFBC40A , 8N60 , IRFBC40L , IRFBC40S , IRFBC42 , IRFBE20 , IRFBE30 , IRFBF20 , IRFBF20L , IRFBF20S .

 

 
Back to Top

 


 
.