2SK1819-01MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1819-01MR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SC67
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1819-01MR
2SK1819-01MR Datasheet (PDF)
2sk1819.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1819DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSChopper regulatorMotor driveInvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
2sk1813.pdf
Ordering number:EN4177N-Channel Silicon MOSFET2SK1813High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2089 Converters.[2SK1813]10.24.51.31.20.80.41 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220MFSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Co
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Liste
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