2SK1819-01MR Todos los transistores

 

2SK1819-01MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1819-01MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC67
 

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2SK1819-01MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  fuji
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2SK1819-01MR

 7.1. Size:212K  inchange semiconductor
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2SK1819-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1819DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSChopper regulatorMotor driveInvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 8.1. Size:104K  sanyo
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2SK1819-01MR

Ordering number:EN4177N-Channel Silicon MOSFET2SK1813High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2089 Converters.[2SK1813]10.24.51.31.20.80.41 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220MFSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Co

 8.2. Size:69K  fuji
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2SK1819-01MR

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History: PA110ED | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK

 

 
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