2SJ690 Todos los transistores

 

2SJ690 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ690
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.119 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC96
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SJ690 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SJ690 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  renesas
 2sj690.pdf pdf_icon

2SJ690

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... 2SJ133-Z , 2SJ145 , 2SJ147 , 2SJ172 , 2SJ173 , 2SJ174 , 2SJ687 , 2SJ687-ZK , HY1906P , 2V7002K , 2V7002L , 2V7002W , 2SJ650 , 2SJ651 , 2SJ652-1E , 2SJ661-1E , 2SJ661-DL-1E .

History: SI7682DP | GP2M002A060XG

 

 
Back to Top

 


 
.