2SJ661-DL-1E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ661-DL-1E
   Código: J661
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 285 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E Datasheet (PDF)

7.1. Size:283K onsemi
2sj661-1e.pdf

Ordering number : EN8586A2SJ661P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 38A, 39m , TO-262-3L/TO-263-2LFeatures ON-resistance RDS(on)1=29.5m (typ.) Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) 4V driveSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 VGate-to-Source Voltage

8.1. Size:38K sanyo
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Ordering number : EN8586 2SJ661P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SJ661ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Motor drive, DC / DC converter. Avalanche resistance guarantee.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --

8.2. Size:373K onsemi
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