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2SJ661-DL-1E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ661-DL-1E

Código: J661

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 65 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 38 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 80 nC

Tiempo de elevación (tr): 285 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 470 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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2SJ661-DL-1E Datasheet (PDF)

3.1. 2sj661-1e.pdf Size:283K _upd

2SJ661-DL-1E
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Ordering number : EN8586A 2SJ661 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com – – Ω 60V, 38A, 39m , TO-262-3L/TO-263-2L Features • ON-resistance RDS(on)1=29.5m (typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) Ω • 4V drive Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage

3.2. 2sj661-1e.pdf Size:283K _onsemi

2SJ661-DL-1E
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Ordering number : EN8586A 2SJ661 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com – – Ω 60V, 38A, 39m , TO-262-3L/TO-263-2L Features • ON-resistance RDS(on)1=29.5m (typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) Ω • 4V drive Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage

 4.1. 2sj661.pdf Size:38K _sanyo

2SJ661-DL-1E
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Ordering number : EN8586 2SJ661 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SJ661 Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. • Motor drive, DC / DC converter. • Avalanche resistance guarantee. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --

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