2SJ210C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ210C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de 2SJ210C MOSFET
2SJ210C Datasheet (PDF)
2sj210c.pdf

Preliminary Data Sheet 2SJ210C R07DS1278EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 08, 2015Description The 2SJ210C, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 MAX. (VGS = -10
2sj210.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ210SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-60V1 2 ID =-200m A+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 10 (VGS =-10V) +0.11.9-0.1 RDS(ON) 15 (VGS =-4V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -6
2sj210-3.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ210SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-60V ID =-200m A RDS(ON) 10 (VGS =-10V) 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1 RDS(ON) 15 (VGS =-4V)+0.11.9-0.21. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VD
Otros transistores... 2SJ661-DL-E , 2SJ673 , 2SJ683 , 2SJ176 , 2SJ177 , 2SJ182L , 2SJ182S , 2SJ183 , IRF1404 , 2SJ214L , 2SJ214S , 2SJ215 , 2SJ220L , 2SJ220S , 2SJ606 , 2SJ606-S , 2SJ606-Z .
History: SPB16N50C3 | 2P7154VC
History: SPB16N50C3 | 2P7154VC



Liste
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