2SJ210C Todos los transistores

 

2SJ210C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ210C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: SOT23

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2SJ210C datasheet

 ..1. Size:152K  renesas
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2SJ210C

Preliminary Data Sheet 2SJ210C R07DS1278EJ0200 Rev.2.00 P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 08, 2015 Description The 2SJ210C, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 MAX. (VGS = -10

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2SJ210C

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2SJ210C

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ210 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-60V 1 2 ID =-200m A +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 10 (VGS =-10V) +0.1 1.9-0.1 RDS(ON) 15 (VGS =-4V) 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -6

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2SJ210C

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ210 SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-60V ID =-200m A RDS(ON) 10 (VGS =-10V) 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95-0.1 RDS(ON) 15 (VGS =-4V) +0.1 1.9-0.2 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VD

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