2SJ389L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ389L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ389L

2SJ389L Datasheet (PDF)

0.1. Size:48K hitachi
2sj389l-s.pdf

2SJ389 L , 2SJ389 SSilicon P Channel MOS FETApplicationDPAK24High speed power switching4Features123 Low onresistance2, 4 High speed switching123 Low drive current 4 V gate drive device can be driven from15 V source1. Gate Suitable for Switching regulator, DC DC 2. Drainconverter3. Source Avalanche Ratings3 4. Drai

8.1. Size:832K cn vbsemi
2sj389s.pdf

2SJ389Swww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo

8.2. Size:248K inchange semiconductor
2sj389s.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ389SFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)135m(@V = -10V; I = -5A)GS DHigh speed switchingLow drive current100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: