2SJ389L Todos los transistores

 

2SJ389L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ389L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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2SJ389L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:48K  hitachi
 2sj389l-s.pdf pdf_icon

2SJ389L

2SJ389 L , 2SJ389 SSilicon P Channel MOS FETApplicationDPAK24High speed power switching4Features123 Low onresistance2, 4 High speed switching123 Low drive current 4 V gate drive device can be driven from15 V source1. Gate Suitable for Switching regulator, DC DC 2. Drainconverter3. Source Avalanche Ratings3 4. Drai

 8.1. Size:832K  cn vbsemi
 2sj389s.pdf pdf_icon

2SJ389L

2SJ389Swww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo

 8.2. Size:248K  inchange semiconductor
 2sj389s.pdf pdf_icon

2SJ389L

isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ389SFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)135m(@V = -10V; I = -5A)GS DHigh speed switchingLow drive current100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

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History: CEP840A | IRFTS8342

 

 
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