AO3499 Todos los transistores

 

AO3499 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3499

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AO3499 datasheet

 ..1. Size:308K  aosemi
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AO3499

AO3499 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -3.5A RDS(ON) (at VGS= -10V)

 9.1. Size:282K  aosemi
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AO3499

AO3494 20V N-Channel MOSFET General Description Features Low RDS(ON) VDS = 20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 3A (VGS = 4.5V) RDS(ON)

 9.2. Size:330K  aosemi
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AO3499

AO3493 20V P-Channel MOSFET General Description Features Low RDS(ON) VDS = -20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = -3A (VGS = -4.5V) RDS(ON)

 9.3. Size:327K  aosemi
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AO3499

AO3498 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.8A RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AGM403A1 | 2N65G-TN3-R | AP4501GH-HF | CM10N60AZ | 2N6796U | FTP10N60C | MTP23P06V

 

 

 

 

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