AO3499 Todos los transistores

 

AO3499 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3499
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AO3499 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  aosemi
 ao3499.pdf pdf_icon

AO3499

AO349920V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -3.5A RDS(ON) (at VGS= -10V)

 9.1. Size:282K  aosemi
 ao3494.pdf pdf_icon

AO3499

AO349420V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 3A (VGS = 4.5V)RDS(ON)

 9.2. Size:330K  aosemi
 ao3493.pdf pdf_icon

AO3499

AO349320V P-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = -20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = -3A (VGS = -4.5V)RDS(ON)

 9.3. Size:327K  aosemi
 ao3498.pdf pdf_icon

AO3499

AO349830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.8A RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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