AO3499 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO3499
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT23
AO3499 Datasheet (PDF)
ao3499.pdf
AO349920V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -3.5A RDS(ON) (at VGS= -10V)
ao3494.pdf
AO349420V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 3A (VGS = 4.5V)RDS(ON)
ao3493.pdf
AO349320V P-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = -20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = -3A (VGS = -4.5V)RDS(ON)
ao3498.pdf
AO349830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.8A RDS(ON) (at VGS=10V)
ao3495.pdf
AO349520V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-4.5V) -5A RDS(ON) (at VGS= -4.5V)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918