IRFD110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFD110 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.3 max nC
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
Encapsulados: HD-1
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IRFD110 datasheet
irfd110pbf.pdf
PD- 95927 IRFD110PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91127 www.vishay.com 1 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 2 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 3 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 4 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 5 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 6 IRFD110PbF Peak Diode Recovery
irfd110 sihfd110.pdf
IRFD110, SiHFD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.3 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.3 Qgd (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching and Ease of Parall
irfd110pbf sihfd110.pdf
IRFD110, SiHFD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.3 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.3 Qgd (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching and Ease of Parall
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