AO4405E Todos los transistores

 

AO4405E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4405E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AO4405E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  aosemi
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AO4405E

AO4405E30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -30V Trench Power LV (P-ch) MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:378K  aosemi
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AO4405E

AO440530V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO4405 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) with low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -6Asuitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:2524K  kexin
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AO4405E

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4405 (KO4405)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-6 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 50m (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDDGGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30

 8.3. Size:1565K  cn vbsemi
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AO4405E

AO4405www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop Vi

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History: CSD25304W1015 | CWDM305ND

 

 
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