AO4405E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4405E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: SO-8
Búsqueda de reemplazo de AO4405E MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AO4405E datasheet
ao4405e.pdf
AO4405E 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Trench Power LV (P-ch) MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao4405.pdf
AO4405 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -6A suitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao4405.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4405 (KO4405) SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-6 A (VGS =-10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 50m (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D D G G S S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30
ao4405.pdf
AO4405 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET 0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4 S SO-8 G SD 1 8 S D 2 7 3 6 SD G D 4 5 D Top Vi
Otros transistores... AO4266E , AO4268 , AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G , 10N60 , AO4423-L , AO4630 , AO4840E , AO4862E , AO6411 , AO6602G , AO6608 , AOB12N65L .
History: SI6913DQ-T1 | AO4423-L | AO4607 | AO4614 | IRF7473TR | 2SK3575-Z
History: SI6913DQ-T1 | AO4423-L | AO4607 | AO4614 | IRF7473TR | 2SK3575-Z
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor
