AO4423-L Todos los transistores

 

AO4423-L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4423-L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 583 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4423-L datasheet

 8.1. Size:288K  aosemi
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AO4423-L

AO4423 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4423 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -30V excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a ID = -17A (VGS = -20V) 25V gate rating. This device is suitable for use as a load RDS(ON)

 8.2. Size:1468K  kexin
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AO4423-L

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4423 (KO4423) SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-15 A (VGS =-20V) RDS(ON) 7m (VGS =-20V) 1.50 0.15 RDS(ON) 8.5m (VGS =-10V) RDS(ON) 12 m (VGS =- 6 V) 1 Source 5 Drain ESD Rating 3000V HBM 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Par

 8.3. Size:821K  cn vbsemi
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AO4423-L

AO4423 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

Otros transistores... AO4268 , AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G , AO4405E , AON6414A , AO4630 , AO4840E , AO4862E , AO6411 , AO6602G , AO6608 , AOB12N65L , AOB2140L .

History: BSS316N | 2N6661-2 | STD14NM50N | AO4614 | HYG067N07NQ1B | CS7N80FA9 | 2SK3575-Z

 

 

 

 

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