AO4423-L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4423-L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 583 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4423-L

AO4423-L Datasheet (PDF)

8.1. Size:288K aosemi
ao4423.pdf

AO442330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4423 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -30Vexcellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a ID = -17A (VGS = -20V)25V gate rating. This device is suitable for use as a load RDS(ON)

8.2. Size:1468K kexin
ao4423.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4423 (KO4423)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-15 A (VGS =-20V) RDS(ON) 7m (VGS =-20V)1.50 0.15 RDS(ON) 8.5m (VGS =-10V) RDS(ON) 12 m (VGS =- 6 V)1 Source 5 Drain ESD Rating: 3000V HBM6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Par

8.3. Size:821K cn vbsemi
ao4423.pdf

AO4423www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: