Справочник MOSFET. AO4423-L

 

AO4423-L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4423-L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 583 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4423-L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4423-L Datasheet (PDF)

 8.1. Size:288K  aosemi
ao4423.pdfpdf_icon

AO4423-L

AO442330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4423 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -30Vexcellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a ID = -17A (VGS = -20V)25V gate rating. This device is suitable for use as a load RDS(ON)

 8.2. Size:1468K  kexin
ao4423.pdfpdf_icon

AO4423-L

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4423 (KO4423)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-15 A (VGS =-20V) RDS(ON) 7m (VGS =-20V)1.50 0.15 RDS(ON) 8.5m (VGS =-10V) RDS(ON) 12 m (VGS =- 6 V)1 Source 5 Drain ESD Rating: 3000V HBM6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Par

 8.3. Size:821K  cn vbsemi
ao4423.pdfpdf_icon

AO4423-L

AO4423www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S

Другие MOSFET... AO4268 , AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G , AO4405E , IRFB4110 , AO4630 , AO4840E , AO4862E , AO6411 , AO6602G , AO6608 , AOB12N65L , AOB2140L .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.