AO4630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4630
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de AO4630 MOSFET
AO4630 Datasheet (PDF)
ao4630.pdf

AO463030V Complementary MOSFETGeneral Description Product Summary AO4630 uses advanced trench technology to provide N-Channel P-Channel excellent RDS(ON) and low gate charge. ThisVDS= 30V -30V complementary N and P channel MOSFET ID= 7A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V) configuration is ideal for low Input Voltage inverter RDS(ON) RDS(ON) applications.
Otros transistores... AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G , AO4405E , AO4423-L , AON6414A , AO4840E , AO4862E , AO6411 , AO6602G , AO6608 , AOB12N65L , AOB2140L , AOB2146L .
History: SI3495DV | FCPF290N80 | 2SK3294 | OSG60R1K2DF | IVN5001ANF | APM2315AC | 2P978B
History: SI3495DV | FCPF290N80 | 2SK3294 | OSG60R1K2DF | IVN5001ANF | APM2315AC | 2P978B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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