AO4630 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AO4630
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для AO4630
AO4630 Datasheet (PDF)
ao4630.pdf
AO463030V Complementary MOSFETGeneral Description Product Summary AO4630 uses advanced trench technology to provide N-Channel P-Channel excellent RDS(ON) and low gate charge. ThisVDS= 30V -30V complementary N and P channel MOSFET ID= 7A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V) configuration is ideal for low Input Voltage inverter RDS(ON) RDS(ON) applications.
Другие MOSFET... AO4290A , AO4292E , AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G , AO4405E , AO4423-L , IRFB4115 , AO4840E , AO4862E , AO6411 , AO6602G , AO6608 , AOB12N65L , AOB2140L , AOB2146L .
History: HB3510P | SVSP11N65TD2 | SUV85N10-10 | BSC0924NDI
History: HB3510P | SVSP11N65TD2 | SUV85N10-10 | BSC0924NDI
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet


