AON6144 Todos los transistores

 

AON6144 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6144
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 675 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AON6144 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  1
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AON6144

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:312K  aosemi
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AON6144

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:318K  aosemi
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AON6144

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:322K  aosemi
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AON6144

AON6160TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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