Справочник MOSFET. AON6144

 

AON6144 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6144
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 675 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6144

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6144 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  1
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6144

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:312K  aosemi
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6144

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6144

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:322K  aosemi
 aon6160.pdf pdf_icon

AON6144

AON6160TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOK60N30L , AOL1404G , AOL1454G , AON2392 , AON3414 , AON3820 , AON5802BG , AON5816 , AO3401 , AON6152 , AON6154 , AON6156 , AON6160 , AON6162 , AON6224 , AON6220 , AON6224A .

History: PSMN3R3-40MLH | 2SK3666-3-TB-E | 2SK3916-01 | 2SK3646-01S | 13N50L-TF3-T | GSM3414A | 2SK1345

 

 
Back to Top

 


 
.