AON6152 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON6152
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6152

AON6152 Datasheet (PDF)

0.1. Size:360K aosemi
aon6152a.pdf

AON6152ATM45V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS45V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:318K aosemi
aon6156.pdf

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:308K aosemi
aon6154.pdf

AON615445V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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