Справочник MOSFET. AON6152

 

AON6152 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6152
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6152 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:360K  aosemi
 aon6152a.pdf pdf_icon

AON6152

AON6152ATM45V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS45V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6152

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:308K  aosemi
 aon6154.pdf pdf_icon

AON6152

AON615445V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CSD30N55

 

 
Back to Top

 


 
.