AON6156 Todos los transistores

 

AON6156 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6156
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AON6156 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  aosemi
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AON6156

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:360K  aosemi
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AON6156

AON6152ATM45V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS45V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:308K  aosemi
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AON6156

AON615445V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
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AON6156

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: 2SK1018 | FQB9N08TM | NTD4863N-1G | VBZFB40P06 | 2SJ119 | UT2308 | TK20V60W

 

 
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