Справочник MOSFET. AON6156

 

AON6156 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6156
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6156

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6156 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6156

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:360K  aosemi
 aon6152a.pdf pdf_icon

AON6156

AON6152ATM45V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS45V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:308K  aosemi
 aon6154.pdf pdf_icon

AON6156

AON615445V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6156

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON2392 , AON3414 , AON3820 , AON5802BG , AON5816 , AON6144 , AON6152 , AON6154 , IRF730 , AON6160 , AON6162 , AON6224 , AON6220 , AON6224A , AON6226 , AON6232A , AON6262E .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.