AON6156 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6156

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6156

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6156 даташит

 ..1. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6156

AON6156 45V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:360K  aosemi
 aon6152a.pdf pdf_icon

AON6156

AON6152A TM 45V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 45V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:308K  aosemi
 aon6154.pdf pdf_icon

AON6156

AON6154 45V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6156

AON6144 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON2392, AON3414, AON3820, AON5802BG, AON5816, AON6144, AON6152, AON6154, IRFB31N20D, AON6160, AON6162, AON6224, AON6220, AON6224A, AON6226, AON6232A, AON6262E