IRFD320 Todos los transistores

 

IRFD320 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD320
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1
 

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IRFD320 datasheet

 ..1. Size:947K  international rectifier
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IRFD320

PD- 95930 IRFD320PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91134 www.vishay.com 1 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 2 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 3 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 4 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 5 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 6 IRFD320PbF Document Number 91

 ..2. Size:320K  international rectifier
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IRFD320

PD -9.1226 IRFD320 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400V For Automatic Insertion End Stackable RDS(on) = 1.8 Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements ID = 0.49A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 ..3. Size:1337K  vishay
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IRFD320

IRFD320, SiHFD320 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 20 End Stackable Qgs (nC) 3.3 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D C

 ..4. Size:1335K  vishay
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IRFD320

IRFD320, SiHFD320 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 20 End Stackable Qgs (nC) 3.3 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D C

Otros transistores... IRFD024 , IRFD110 , IRFD120 , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , IRFD224 , IRFD310 , AO4468 , IRFD420 , IRFD9014 , IRFD9024 , IRFD9110 , IRFD9120 , IRFD9210 , IRFD9220 , IRFDC20 .

 

 

 


 
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