Справочник MOSFET. IRFD320

 

IRFD320 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFD320
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: HD-1
 

 Аналог (замена) для IRFD320

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:947K  international rectifier
 irfd320pbf.pdf pdf_icon

IRFD320

PD- 95930IRFD320PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91134 www.vishay.com1IRFD320PbFDocument Number: 91134 www.vishay.com2IRFD320PbFDocument Number: 91134 www.vishay.com3IRFD320PbFDocument Number: 91134 www.vishay.com4IRFD320PbFDocument Number: 91134 www.vishay.com5IRFD320PbFDocument Number: 91134 www.vishay.com6IRFD320PbFDocument Number: 91

 ..2. Size:320K  international rectifier
 irfd320.pdf pdf_icon

IRFD320

PD -9.1226IRFD320HEXFET Power MOSFETDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche RatedVDSS = 400VFor Automatic InsertionEnd StackableRDS(on) = 1.8Fast SwitchingEase of parallelingSimple Drive RequirementsID = 0.49ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 ..3. Size:1337K  vishay
 irfd320pbf sihfd320.pdf pdf_icon

IRFD320

IRFD320, SiHFD320Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS For Automatic InsertionCOMPLIANT Qg (Max.) (nC) 20 End StackableQgs (nC) 3.3 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD C

 ..4. Size:1335K  vishay
 irfd320 sihfd320.pdf pdf_icon

IRFD320

IRFD320, SiHFD320Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS For Automatic InsertionCOMPLIANT Qg (Max.) (nC) 20 End StackableQgs (nC) 3.3 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFD024 , IRFD110 , IRFD120 , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , IRFD224 , IRFD310 , IRFP064N , IRFD420 , IRFD9014 , IRFD9024 , IRFD9110 , IRFD9120 , IRFD9210 , IRFD9220 , IRFDC20 .

 

 
Back to Top

 


 
.