AON6220 Todos los transistores

 

AON6220 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6220
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AON6220 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  aosemi
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AON6220

AON6220TM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:295K  aosemi
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AON6220

AON6224ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Logicl Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:221K  aosemi
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AON6220

AON6224100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:330K  aosemi
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AON6220

AON6226TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: PD600BA | ME70N03S-G | AO4568 | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02

 

 
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