Справочник MOSFET. AON6220

 

AON6220 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6220
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6220

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6220 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  aosemi
 aon6220.pdf pdf_icon

AON6220

AON6220TM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:295K  aosemi
 aon6224a.pdf pdf_icon

AON6220

AON6224ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Logicl Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:221K  aosemi
 aon6224.pdf pdf_icon

AON6220

AON6224100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:330K  aosemi
 aon6226.pdf pdf_icon

AON6220

AON6226TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON5816 , AON6144 , AON6152 , AON6154 , AON6156 , AON6160 , AON6162 , AON6224 , RU7088R , AON6224A , AON6226 , AON6232A , AON6262E , AON6264E , AON6266E , AON6268 , AON6276 .

History: AOK031A60FD | HM4485 | DMP58D0LFB | PSMN7R0-30YLC | 2SK1618S | IXTA88N085T

 

 
Back to Top

 


 
.