IRFD420 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD420  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 max nC

trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: HD-1

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IRFD420 datasheet

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IRFD420

PD- 95929 IRFD420PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91135 www.vishay.com 1 IRFD420PbF Document Number 91135 www.vishay.com 2 IRFD420PbF Document Number 91135 www.vishay.com 3 IRFD420PbF Document Number 91135 www.vishay.com 4 IRFD420PbF Document Number 91135 www.vishay.com 5 IRFD420PbF Document Number 91135 www.vishay.com 6 IRFD420PbF Document Number 91

 ..2. Size:1226K  vishay
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IRFD420

IRFD420, SiHFD420 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.3 Fast Switching Qgd (nC) 13 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements

 ..3. Size:1228K  vishay
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IRFD420

IRFD420, SiHFD420 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.3 Fast Switching Qgd (nC) 13 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements

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