IRFD420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFD420
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFD420

IRFD420 Datasheet (PDF)

..1. Size:916K international rectifier
irfd420.pdf

PD- 95929IRFD420PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91135 www.vishay.com1IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com2IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com3IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com4IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com5IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com6IRFD420PbFDocument Number: 91

..2. Size:1226K vishay
irfd420 sihfd420.pdf

IRFD420, SiHFD420Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.3 Fast SwitchingQgd (nC) 13 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements

..3. Size:1228K vishay
irfd420pbf sihfd420.pdf

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Liste

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