AON6268 Todos los transistores

 

AON6268 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6268
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AON6268 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  aosemi
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AON6268

AON6268TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
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AON6268

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
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AON6268

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:368K  aosemi
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AON6268

AON626660V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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