AON6268 Todos los transistores

 

AON6268 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6268

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AON6268 datasheet

 ..1. Size:331K  aosemi
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AON6268

AON6268 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
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AON6268

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
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AON6268

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:368K  aosemi
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AON6268

AON6266 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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