Справочник MOSFET. AON6268

 

AON6268 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6268
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6268 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  aosemi
aon6268.pdfpdf_icon

AON6268

AON6268TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
aon6262e.pdfpdf_icon

AON6268

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
aon6262e.pdfpdf_icon

AON6268

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:368K  aosemi
aon6266.pdfpdf_icon

AON6268

AON626660V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6224 , AON6220 , AON6224A , AON6226 , AON6232A , AON6262E , AON6264E , AON6266E , 5N65 , AON6276 , AON6284A , AON6312 , AON6314 , AON6354 , AON6358 , AON6360 , AON6362 .

History: AP4509AGM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.