AON6284A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON6284A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6284A

AON6284A Datasheet (PDF)

..1. Size:432K aosemi
aon6284a.pdf

AON6284ATM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:271K aosemi
aon6284.pdf

AON628480V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON6284 uses trench MOSFET technology that is 80Vuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 78Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:270K aosemi
aon6282.pdf

AON628280V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON6282 uses trench MOSFET technology that is 80Vuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 85Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:295K aosemi
aon6280.pdf

AON628080V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS80VThe AON6280 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 85Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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