AON6368 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6368

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AON6368 datasheet

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AON6368

AON6368 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 52A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6368

AON6362 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6368

AON6360 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS (enhanced MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6368

AON6366E 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

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