AON6380 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON6380
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 26 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 24 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V
Tiempo de elevación (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 335 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0068 Ohm
Empaquetado / Estuche: DFN5x6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6380
AON6380 Datasheet (PDF)
1.1. aon6380.pdf 
Size:368K _aosemi
AON6380 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS • Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 6.8mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 10.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS Tested Applications 100% Rg Tested • DC/DC Converters i
4.1. aon6384.pdf Size:344K _aosemi
AON6384 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS • Trench Power MOSFET technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 3.3mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 5.2mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC/DC Converters in Computing, Serv
4.2. aon6382.pdf Size:339K _aosemi
AON6382 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS • Trench Power MOSFET technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 1.85mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 2.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC/DC Converters in Computing
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