AON6380 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6380

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 26 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 24 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 335 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0068 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5x6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6380

AON6380 Datasheet (PDF)

1.1. aon6380.pdf Size:368K _aosemi

AON6380 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS • Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 6.8mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 10.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS Tested Applications 100% Rg Tested • DC/DC Converters i

4.1. aon6382.pdf Size:339K _aosemi

AON6382 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS • Trench Power MOSFET technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 1.85mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 2.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC/DC Converters in Computing �

4.2. aon6384.pdf Size:344K _aosemi

AON6384 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS • Trench Power MOSFET technology 30V • Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 3.3mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 5.2mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC/DC Converters in Computing, Serv

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: