AON6796 Todos los transistores

 

AON6796 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6796
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AON6796 PDF Specs

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AON6796

AON6796 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒

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AON6790 30V N-Channel MOSFET TM SRFET General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V) with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is ... See More ⇒

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AON6792 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒

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AON6794 30V N-Channel SRFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒

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