AON6796 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6796  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AON6796 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AON6796 datasheet

 ..1. Size:345K  aosemi
 aon6796.pdf pdf_icon

AON6796

AON6796 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:262K  1
 aon6790.pdf pdf_icon

AON6796

AON6790 30V N-Channel MOSFET TM SRFET General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V) with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

 8.2. Size:331K  aosemi
 aon6792.pdf pdf_icon

AON6796

AON6792 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:243K  aosemi
 aon6794.pdf pdf_icon

AON6796

AON6794 30V N-Channel SRFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AON6560, AON6590, AON6661, AON6667, AON6734, AON6764, AON6792, AON6794, AON6414A, AON6982, AON6984, AON6992, AON6994, AON6996, AON6998, AON7140, AON7230