Справочник MOSFET. AON6796

 

AON6796 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON6796
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для AON6796

 

 

AON6796 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  aosemi
 aon6796.pdf

AON6796 AON6796

AON679630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:262K  1
 aon6790.pdf

AON6796 AON6796

AON679030V N-Channel MOSFETTMSRFET General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V)with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

 8.2. Size:331K  aosemi
 aon6792.pdf

AON6796 AON6796

AON679230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:243K  aosemi
 aon6794.pdf

AON6796 AON6796

AON679430V N-Channel SRFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top