AON6796 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6796

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6796

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6796 даташит

 ..1. Size:345K  aosemi
 aon6796.pdf pdf_icon

AON6796

AON6796 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:262K  1
 aon6790.pdf pdf_icon

AON6796

AON6790 30V N-Channel MOSFET TM SRFET General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V) with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

 8.2. Size:331K  aosemi
 aon6792.pdf pdf_icon

AON6796

AON6792 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:243K  aosemi
 aon6794.pdf pdf_icon

AON6796

AON6794 30V N-Channel SRFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6560, AON6590, AON6661, AON6667, AON6734, AON6764, AON6792, AON6794, IRFB4227, AON6982, AON6984, AON6992, AON6994, AON6996, AON6998, AON7140, AON7230