Справочник MOSFET. AON6796

 

AON6796 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6796
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6796

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6796 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  aosemi
 aon6796.pdf pdf_icon

AON6796

AON679630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:262K  1
 aon6790.pdf pdf_icon

AON6796

AON679030V N-Channel MOSFETTMSRFET General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V)with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

 8.2. Size:331K  aosemi
 aon6792.pdf pdf_icon

AON6796

AON679230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:243K  aosemi
 aon6794.pdf pdf_icon

AON6796

AON679430V N-Channel SRFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6560 , AON6590 , AON6661 , AON6667 , AON6734 , AON6764 , AON6792 , AON6794 , AON6414A , AON6982 , AON6984 , AON6992 , AON6994 , AON6996 , AON6998 , AON7140 , AON7230 .

History: NCE60P25 | BSC014N04LSI | S85N042RP | SM4441 | CHM3413KGP | PDC2603Z

 

 
Back to Top

 


 
.