AON7318 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON7318

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3EP

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AON7318 datasheet

 ..1. Size:382K  aosemi
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AON7318

AON7318 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:340K  1
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AON7318

AON7380 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:340K  aosemi
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AON7318

AON7380 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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