AON7318 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON7318
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm
Encapsulados: DFN3.3X3.3EP
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AON7318 datasheet
aon7318.pdf
AON7318 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7380.pdf
AON7380 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7380.pdf
AON7380 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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