AON7318 Todos los transistores

 

AON7318 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON7318
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3EP
 

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AON7318 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  aosemi
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AON7318

AON731830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:340K  1
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AON7318

AON738030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:340K  aosemi
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AON7318

AON738030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: TPA65R100MFD | INK0112AM1 | WMO12P06TS | FR2307Z | BLF884P | TPM7002DFN3 | BUZ53A

 

 
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