AON7318 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AON7318
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00195 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3EP
Аналог (замена) для AON7318
AON7318 Datasheet (PDF)
aon7318.pdf

AON731830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7380.pdf

AON738030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7380.pdf

AON738030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AON6996 , AON6998 , AON7140 , AON7230 , AON7232 , AON7246E , AON7262E , AON7264E , IRFP260 , AON7380 , AON7404G , AON7422G , AON7442 , AON7518 , AON7566 , AON7568 , AONE36132 .
History: FDS8812NZ | IPB100N04S3-03 | HGN036N08A
History: FDS8812NZ | IPB100N04S3-03 | HGN036N08A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488