IRFD9210 Todos los transistores

 

IRFD9210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.9(max) nC

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: HD-1

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IRFD9210 datasheet

 ..1. Size:1772K  international rectifier
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IRFD9210

PD- 95934 IRFD9210PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91140 www.vishay.com 1 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 2 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 3 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 4 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 5 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 6 IRFD9210PbF Peak Diode R

 ..2. Size:171K  international rectifier
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IRFD9210

 ..3. Size:1552K  vishay
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IRFD9210

IRFD9210, SiHFD9210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.9 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.1 P-Channel Qgd (nC) 3.9 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling S

 ..4. Size:1553K  vishay
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IRFD9210

IRFD9210, SiHFD9210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.9 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.1 P-Channel Qgd (nC) 3.9 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling S

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