IRFD9210 Todos los transistores

 

IRFD9210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD9210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.9(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1
 

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IRFD9210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1772K  international rectifier
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IRFD9210

PD- 95934IRFD9210PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91140 www.vishay.com1IRFD9210PbFDocument Number: 91140 www.vishay.com2IRFD9210PbFDocument Number: 91140 www.vishay.com3IRFD9210PbFDocument Number: 91140 www.vishay.com4IRFD9210PbFDocument Number: 91140 www.vishay.com5IRFD9210PbFDocument Number: 91140 www.vishay.com6IRFD9210PbFPeak Diode R

 ..2. Size:171K  international rectifier
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IRFD9210

 ..3. Size:1552K  vishay
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IRFD9210

IRFD9210, SiHFD9210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.9 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.1 P-ChannelQgd (nC) 3.9 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of ParallelingS

 ..4. Size:1553K  vishay
 irfd9210pbf sihfd9210.pdf pdf_icon

IRFD9210

IRFD9210, SiHFD9210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.9 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.1 P-ChannelQgd (nC) 3.9 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of ParallelingS

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