AONR36368 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONR36368
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AONR36368
AONR36368 Datasheet (PDF)
aonr36368.pdf
AONR3636830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power LV MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr36366.pdf
AONR3636630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power LV MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr36321.pdf
AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr36326c.pdf
AONR36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr36328.pdf
AONR3632830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr36329.pdf
AONR3632930V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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Liste
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