AONR36368 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONR36368

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AONR36368

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR36368 даташит

 ..1. Size:361K  aosemi
 aonr36368.pdf pdf_icon

AONR36368

 6.1. Size:431K  aosemi
 aonr36366.pdf pdf_icon

AONR36368

AONR36366 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power LV MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR36368

AONR36321 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:755K  aosemi
 aonr36326c.pdf pdf_icon

AONR36368

AONR36326C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7566, AON7568, AONE36132, AONE36182, AONR21307, AONR21357, AONR32314, AONR36366, AON7410, AONR62818, AONR66406, AONS21307, AONS21357, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614