IRFD9220 Todos los transistores

 

IRFD9220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: HD-1

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IRFD9220 datasheet

 ..1. Size:1774K  international rectifier
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IRFD9220

PD- 95918 IRFD9220PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91141 www.vishay.com 1 IRFD9220PbF Document Number 91141 www.vishay.com 2 IRFD9220PbF Document Number 91141 www.vishay.com 3 IRFD9220PbF Document Number 91141 www.vishay.com 4 IRFD9220PbF Document Number 91141 www.vishay.com 5 IRFD9220PbF Document Number 91141 www.vishay.com 6 IRFD9220PbF Peak Diode R

 ..2. Size:172K  international rectifier
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IRFD9220

 ..3. Size:1675K  vishay
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IRFD9220

IRFD9220, SiHFD9220 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.5 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 15 End Stackable Qgs (nC) 3.2 P-Channel Qgd (nC) 8.4 Fast Switching Configuration Single Ease of Para

 ..4. Size:1658K  vishay
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IRFD9220

IRFD9220, SiHFD9220 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.5 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 15 End Stackable Qgs (nC) 3.2 P-Channel Qgd (nC) 8.4 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling S

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