IRFD9220 Todos los transistores

 

IRFD9220 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD9220
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1
 

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IRFD9220 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1774K  international rectifier
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IRFD9220

PD- 95918IRFD9220PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91141 www.vishay.com1IRFD9220PbFDocument Number: 91141 www.vishay.com2IRFD9220PbFDocument Number: 91141 www.vishay.com3IRFD9220PbFDocument Number: 91141 www.vishay.com4IRFD9220PbFDocument Number: 91141 www.vishay.com5IRFD9220PbFDocument Number: 91141 www.vishay.com6IRFD9220PbFPeak Diode R

 ..2. Size:172K  international rectifier
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IRFD9220

 ..3. Size:1675K  vishay
 irfd9220pbf sihfd9220.pdf pdf_icon

IRFD9220

IRFD9220, SiHFD9220www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 15 End StackableQgs (nC) 3.2 P-ChannelQgd (nC) 8.4 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Para

 ..4. Size:1658K  vishay
 irfd9220 sihfd9220.pdf pdf_icon

IRFD9220

IRFD9220, SiHFD9220Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 15 End StackableQgs (nC) 3.2 P-ChannelQgd (nC) 8.4 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of ParallelingS

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History: HUF76429DF085

 

 
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