AONS62618 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONS62618
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de AONS62618 MOSFET
AONS62618 Datasheet (PDF)
aons62618.pdf

AONS62618TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons62614t.pdf

AONS62614TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 170A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
aons62614.pdf

AONS62614TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
aons62606.pdf

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , IRFP250 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 .
History: AOT66811L | 2SK2992 | PJS6414 | 2SK1344
History: AOT66811L | 2SK2992 | PJS6414 | 2SK1344



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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