AONS62618 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONS62618

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AONS62618

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62618 даташит

 ..1. Size:329K  aosemi
 aons62618.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS62618 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:362K  aosemi
 aons62614t.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS62614T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 170A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:335K  aosemi
 aons62614.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS62614 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS62606 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR62818, AONR66406, AONS21307, AONS21357, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AON7506, AONS62922, AONS66402, AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314