Справочник MOSFET. AONS62618

 

AONS62618 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS62618
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AONS62618

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62618 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  aosemi
 aons62618.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS62618TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:362K  aosemi
 aons62614t.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS62614TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 170A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:335K  aosemi
 aons62614.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS62614TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62618

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , IRFP250 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 .

History: CS3N100F | WM03DP50A | 2SK3352K | WM03N57M | AONS32310 | 2SK3466

 

 
Back to Top

 


 
.