AONS62618 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AONS62618
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 670 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0047 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
AONS62618 Datasheet (PDF)
aons62618.pdf
AONS62618TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons62614.pdf
AONS62614TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
aons62602.pdf
AONS62602TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
aons62922.pdf
AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
aons62922.pdf
AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
