IRFDC20 Todos los transistores

 

IRFDC20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFDC20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1
 

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IRFDC20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  international rectifier
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IRFDC20

PD- 95914IRFDC20PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91142 www.vishay.com1IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com2IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com3IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com4IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com5IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com6IRFDC20PbFDocument Number: 91

 ..2. Size:1178K  vishay
 irfdc20 sihfdc20.pdf pdf_icon

IRFDC20

IRFDC20, SiHFDC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 End StackableQgs (nC) 3.0 Fast SwitchingQgd (nC) 8.9 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirement

 ..3. Size:1180K  vishay
 irfdc20pbf sihfdc20.pdf pdf_icon

IRFDC20

IRFDC20, SiHFDC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 End StackableQgs (nC) 3.0 Fast SwitchingQgd (nC) 8.9 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirement

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