IRFDC20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFDC20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
Paquete / Cubierta: HD-1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFDC20
IRFDC20 Datasheet (PDF)
irfdc20.pdf
PD- 95914IRFDC20PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91142 www.vishay.com1IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com2IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com3IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com4IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com5IRFDC20PbFDocument Number: 91142 www.vishay.com6IRFDC20PbFDocument Number: 91
irfdc20 sihfdc20.pdf
IRFDC20, SiHFDC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 End StackableQgs (nC) 3.0 Fast SwitchingQgd (nC) 8.9 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirement
irfdc20pbf sihfdc20.pdf
IRFDC20, SiHFDC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 End StackableQgs (nC) 3.0 Fast SwitchingQgd (nC) 8.9 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirement
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Liste
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