IRFDC20 Todos los transistores

 

IRFDC20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFDC20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFDC20

 

Principales características: IRFDC20

 ..1. Size:913K  international rectifier
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IRFDC20

PD- 95914 IRFDC20PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91142 www.vishay.com 1 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 2 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 3 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 4 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 5 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 6 IRFDC20PbF Document Number 91

 ..2. Size:1178K  vishay
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IRFDC20

IRFDC20, SiHFDC20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 4.4 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Fast Switching Qgd (nC) 8.9 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirement

 ..3. Size:1180K  vishay
 irfdc20pbf sihfdc20.pdf pdf_icon

IRFDC20

IRFDC20, SiHFDC20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 4.4 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Fast Switching Qgd (nC) 8.9 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirement

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