IRFE024 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFE024
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 26(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 70(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: LCC18
Búsqueda de reemplazo de IRFE024 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IRFE024 datasheet
irfe024.pdf
PD - 93982 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE024 HEXFET TRANSISTORS 60V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (LCC-18) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE024 60V 0.15 6.7A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged to be a close replacement Features for the TO-39 pack
Otros transistores... IRFD420 , IRFD9014 , IRFD9024 , IRFD9110 , IRFD9120 , IRFD9210 , IRFD9220 , IRFDC20 , 50N06 , IRFE110 , IRFE120 , IRFE130 , IRFE210 , IRFE220 , IRFE230 , IRFE310 , IRFE320 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet
