IRFE024 Todos los transistores

 

IRFE024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFE024
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC18
 

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IRFE024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  international rectifier
 irfe024.pdf pdf_icon

IRFE024

PD - 93982REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE024HEXFETTRANSISTORS 60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-18)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE024 60V 0.15 6.7ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged to be a close replacementFeatures:for the TO-39 pack

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History: BBS3002 | SM6130NSK

 

 
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