IRFE024 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFE024
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: LCC18
Аналог (замена) для IRFE024
IRFE024 Datasheet (PDF)
irfe024.pdf
PD - 93982REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE024HEXFETTRANSISTORS 60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-18)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE024 60V 0.15 6.7ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged to be a close replacementFeatures:for the TO-39 pack
Другие MOSFET... IRFD420 , IRFD9014 , IRFD9024 , IRFD9110 , IRFD9120 , IRFD9210 , IRFD9220 , IRFDC20 , 50N06 , IRFE110 , IRFE120 , IRFE130 , IRFE210 , IRFE220 , IRFE230 , IRFE310 , IRFE320 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P20AP | AGM30P18S | AGM30P18E | AGM30P16S | AGM30P16D | AGM30P16AP | AGM30P14MBP | AGM30P12M | AGM30P12D | AGM30P110D | AGM30P110A | AGM30P10SR | AGM30P10S | AGM30P10K | AGM30P10AP | AGM25N15C
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet


