AP9591GP Todos los transistores

 

AP9591GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9591GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP9591GP Datasheet (PDF)

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AP9591GP

AP9591GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m Fast Switching Characteristic ID -80AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, r

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AP9591GP

AP9591GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m Fast Switching Characteristic ID -80AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, r

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AP9591GP

AP9591GSHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 24m Fast Switching Characteristic ID -73AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAP9591 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

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History: CEP93A3 | KP978GC | AS2304 | SSA80R240S | SIHLIZ14G | NCE042N30K | CJQ4503

 

 
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