AP9591GP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9591GP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: TO220
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AP9591GP datasheet
ap9591gp.pdf
AP9591GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m Fast Switching Characteristic ID -80A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, r
ap9591gp-hf.pdf
AP9591GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m Fast Switching Characteristic ID -80A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, r
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AP9591GS Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 24m Fast Switching Characteristic ID -73A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description AP9591 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo
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History: IXFC52N30P | IXFC16N80P
History: IXFC52N30P | IXFC16N80P
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