AP08P20GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP08P20GP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP08P20GP
AP08P20GP Datasheet (PDF)
ap08p20gp.pdf
AP08P20GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 680m Fast Switching Characteristic ID -8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP08P20 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the low
ap08p20gs p-hf.pdf
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History: UP9971
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