AP08P20GP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP08P20GP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
Encapsulados: TO220
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AP08P20GP datasheet
ap08p20gp.pdf
AP08P20GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 680m Fast Switching Characteristic ID -8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP08P20 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low
ap08p20gs p-hf.pdf
AP08P20GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 680m Fast Switching Characteristic ID -8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G best combination of fast switching,
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History: CM6N40C | LR024N
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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