APS04N60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APS04N60H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 620 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APS04N60H
APS04N60H Datasheet (PDF)
aps04n60h.pdf
APS04N60H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAPS04N60 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve the l
aps04n60h-hf.pdf
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Liste
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