APS04N60H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APS04N60H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 620 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO252
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APS04N60H datasheet
aps04n60h.pdf
APS04N60H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description APS04N60 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve the l
aps04n60h-hf.pdf
APS04N60H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description APS04N60 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC con
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